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2012년 추계학술대회

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한글제목(Korean Title) 저전압 EEPROM IP용 DC-DC Converter 설계
영문제목(English Title) Design of DC-DC Converter for Low-Voltage EEPROM IPs
저자(Author) 장지혜   최인화   박영배   김려연   하판봉   김영희   Ji-Hye Jang   In-Hwa Choi   Young-Bae Park   Liyan Jin   Pan-Bong Ha   Young-Hee Kim  
원문수록처(Citation) VOL 16 NO. 02 PP. 0852 ~ 0855 (2012. 10)
한글내용
(Korean Abstract)
본 논문에서는 FN(Fowler-Nordheim) 터널링 방식에 의한 program 동작과 band-to-band 터널링 방식에 의한 erase 동작을 수행하는 EEPROM IP용 DC-DC converter를 설계하였다. 로직전압으로 1.5V±10%의 저전압을 사용하는 EEPROM IP용 DC-DC converter는 charge pump 회로의 pumping stage 수와 pumping capacitance를 줄이기 위해 입력 전압으로 VDD 대신 VRD(Read Voltage)을 전압을 사용하는 방식을 제안하였다. VRD(=3.1V±0.1V)는 5V의 external supply voltage를 voltage regulator 회로를 이용하여 regulation된 전압이다. 설계된 DC-DC converter는 write 모드에서VPP(=8V)와 VNN(=-8V)의 전압을 출력한다.
영문내용
(English Abstract)
A DC-DC converter for EEPROM IPs which perfom erasing by the FN (Fowler-Nordheim) tunneling and programming by the band-to-band tunneling is designed in this paper. For the DC-DC converter for EEPROM IPs using a low voltage of 1.5V±10% as the logic voltage, a scheme of using VRD (Read Voltage) instead of VDD is proposed to reduce the pumping stages and pumping capacitances of its charge pump circuit. VRD (=3.1V±0.1V) is a regulated voltage by a voltage regulator using an external voltage of 5V. The designed DC-DC converter outputs VPP (=8V) and VNN (=-8V) in the write mode.
키워드(Keyword) EEPROM   band-to-band tunneling   DC-DC   charge pump   low-voltage  
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