닫기
Loading..

Please wait....

영문 논문지

홈 홈 > 연구문헌 > 영문 논문지 > JSTS (Journal of Semiconductor Technology and Science)

JSTS (Journal of Semiconductor Technology and Science)

Current Result Document : 1 / 2   다음건 다음건

한글제목(Korean Title) Design of an EEPROM for a MCU with the Wide Voltage Range
영문제목(English Title) Design of an EEPROM for a MCU with the Wide Voltage Range
저자(Author) Du-Hwi Kim   Ji-Hye Jang   Liyan Jin   Pan-Bong Ha   Young-Hee Kim  
원문수록처(Citation) VOL 10 NO. 04 PP. 0316 ~ 0324 (2010. 12)
한글내용
(Korean Abstract)
영문내용
(English Abstract)
In this paper, we design a 256 kbits EEPROM for a MCU (Microcontroller unit) with the wide voltage range of 1.8 V to 5.5 V. The memory space of the EEPROM is separated into a program and data region. An option memory region is added for storing user IDs, serial numbers and so forth. By making HPWs (High-voltage P-wells) of EEPROM cell arrays with the same bias voltages in accordance with the operation modes shared in a double word unit, we can reduce the HPW-to-HPW space by a half and hence the area of the EEPROM cell arrays by 9.1 percent. Also, we propose a page buffer circuit reducing a test time, and a write-verify-read mode securing a reliability of the EEPROM. Furthermore, we propose a DC-DC converter that can be applied to a MCU with the wide voltage range. Finally, we come up with a method of obtaining the oscillation period of a charge pump. The layout size of the designed 256 kbits EEPROM IP with MagnaChip''s 0.18 μm EEPROM process is 1581.55 μm × 792.00 μm.

키워드(Keyword) Wide voltage range   MCU   DC-DC converter   reliability  
원문 PDF 다운로드