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한국정보통신학회 논문지 (J. of the Korea Inst. of Information&Communication Engineering)

Current Result Document : 4 / 5

한글제목(Korean Title) 양극성 이중 독립 게이트 실리콘 나노와이어 전계 효과 트랜지스터 설계
영문제목(English Title) Design of Double-Independent-Gate Ambipolar Silicon-Nanowire Field Effect Transistor
저자(Author) 홍성현   유윤섭   Seong-Hyeon Hong   YunSeop Yu  
원문수록처(Citation) VOL 19 NO. 12 PP. 2892 ~ 2898 (2015. 12)
한글내용
(Korean Abstract)
양극성 이중 독립 게이트 실리콘 나노와이어 전계 효과 트랜지스터를 새롭게 제안한다. 제안한 트랜지스터는 극성 게이트와 제어 게이트를 가지고 있다. 극성게이트의 바이어스에 따라서 N형과 P형 트랜지스터의 동작을 결정할 수 있고 제어 게이트의 전압에 따라 트랜지스터의 전류 특성을 제어할 수 있다. 2차원 소자 시뮬레이터를 이용해서 양극성 전류-전압 특성이 동작하도록 두 개의 게이트들과 소스 및 드레인의 일함수를 조사했다. 극성게이트 4.75 eV, 제어게이트 4.5 eV, 소스 및 드레인 4.8 eV일 때 명확한 양극성 특성을 보였다.
영문내용
(English Abstract)
We propose a new Double-Independent-Gate Ambipolar Silicon-Nanowire Field Effect Transistor(DIG Ambi-SiNWFET). The proposed transistor has two types of gate such as polarity gate and control gate. The polarity gate determines the operation that the gate bias controls NMOSFET or PMOSFET. The voltage of control gate controls the current characteristic of the transistor. We investigated systematically work functions of the two gates and source/drain to operate ambipolar current-voltage characteristics using 2D device simulator. When the work functions of polarity gate, control gate and source/drain are 4.75eV, 4.5eV, and 4.8eV, respectively, it showed the obvious ambipolar characteristics.
키워드(Keyword) 실리콘 나노와이어 트랜지스터   터널링   양극성 특성   극성게이트   제어게이트   트랜지스터 설계   Silicon nanowire transistor   tunneling   ambipolar   polarity gate   control gate   transistor design  
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