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2018년 대한전자공학회 하계종합학술대회

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한글제목(Korean Title) 0.1 um GaAs pHEMT 공정을 이용한 W-band(94 GHz) 전력 증폭기 MMIC 설계
영문제목(English Title) Design of W-band(94 GHz) Power Amplifier MMIC Using 0.1 um GaAs pHEMT Process
저자(Author) 이선우   김정현   Sunwoo Lee   Junghyun Kim  
원문수록처(Citation) VOL 41 NO. 01 PP. 0219 ~ 0221 (2018. 06)
한글내용
(Korean Abstract)
영문내용
(English Abstract)
Generally, millimeter wave is 30-300 GHz. Because of millimeter wave characteristics like very short wavelength, high resolution radar system, high data rate communication system uses millimeter wave and the use of millimeter wave is increasing. In this paper, Design of W-band(94 GHz) Power Amplifier MMIC using 0.1 um GaAs pHEMT Process are implemented. The power amplifier demonstrates simulated small signal gain of more than 10 dBm, and simulated saturated output power of 18.6 dBm at 94 GHz.
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